上半年三星代工的骁龙8 Gen1可谓是口碑不佳，但是风口不等人，3nm技术的浪潮已经来临。三星也正如爆料一般，在最近宣布其3nm芯片已经成熟量产。那么效果到底怎么样呢？能不能在市场份额上压住台积电呢？
首先可以肯定的是三星这次采用的GAA晶体管封装工艺是真的有技术的，这个新技术台积电要到2nm工艺上才会使用的，也就是说在工艺上，三星确确实实是领先了台积电。据三星方面官方宣称，功耗上比起上一代FinFET架构要改进不少，能够比5nm降低50％功率，减少35％面积，同时提升30％的性能，这么来看的话，这一代简直就是超进化了啊！难道明年我们的手机能大幅提升性能了吗？其实并不是这样，三星这只不过是纯纯秀肌肉而已。
工研院国际研究所总监杨瑞临认为，三星这就是赶鸭子上架。抢先用上新工艺固然提升很大，但是新工艺意味着需要解决新问题，目前GAA晶体管工艺仍然不成熟，制造过程，原料采购过程，化学品等各方面都困难重重。再则，新工艺带来的成本增加，良品率降低都是问题。
再来反观国内厂商小米，这一次小米总算打破了国外技术垄断，实现了充电芯片自研闭环。咱既然没法一步登天研发制造出先进的手机芯片，那么像是小米这样从周边芯片开始一步一个脚印地前进也是值得骄傲的。
在即将发布的小米12S Ultra上配备了澎湃P1 澎湃G1电池管理芯片，前者作为快充芯片可以更好对充电功率进行控制，后者是首次亮相的新芯片，能够毫秒级监控电池，并且增强续航。以前这方面芯片都是美国的Ti垄断，所以说这次是国内厂商的一次突破性壮举。和三星不同，小米这两颗芯片是实打实可以实际使用的，并不是空架子。
看来雷军是铁了心要实现“未来5年研发投入预计超过1000亿”这个规划的，也希望在今后国产厂商能够更快实现各方面芯片自研。
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