2022年6月22日消息，三星电子公司预计将在下周宣布大规模生产3纳米芯片。下一代3纳米芯片将建立在Gate-All-Around（GAA）技术之上，与现有的FinFET工艺相比，该技术将使芯片面积减少45%，性能提高30%，功耗降低50%。三星3纳米量产时间早于台积电量。
作为竞争对手，台积电计划继续将 FinFET 技术应用到3纳米工艺中，并从2纳米工艺开始引入 GAA 技术。如果按照三星电子的计划，它将成为全球第一家量产3纳米半导体的代工厂。最初，台积电计划在2022年7月将3纳米工艺应用于英特尔的CPU 和 GPU的量产。
为什么三星要提前3纳米芯片量产计划呢？
观点分析：
1、提前量产，有利于抢先占据高端芯片市场份额。三星与台积电的市场份额差距加大，台积电在2021年第二季度占全球代工市场的58%，三星的份额为14%。根据市场研究公司 Counterpoint Research 的数据，第一季度，台积电的市场份额为55%，而三星为17%。
2、有利于开拓新型技术战争，争夺技术优势主动权。三星电子和台积电都在生产基于 FinFet 技术的5纳米芯片。然而现阶段从市场反映来看，台积电在良率和性能方面占据上风。
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