台积电称得上是目前晶圆代工行业中的领头羊，其代工的芯片也占据了绝大部分的先进制程市场份额，而今天台积电公布了未来3年的制程路线图，称将会在今年量产3nm制程架构，此外3nm将会拥有三个版本，至于2nm工艺则在2025年正式量产。
据台积电的说法，今年台积电将会拥有三种全新的工艺，包括N6RF、N4P以及N3工艺，其中N3工艺就是3nm制程，相比较5nm制程在效率以及性能上均有比较大的提升，而且3nm制程工艺将会有三个不同的版本，包括面向旗舰处理器打造的拥有最高性能的工艺，面向主流市场的高能耗比工艺以及拥有最低功耗的3nm工艺，这三种3nm工艺将会应用在不同的晶圆上，预计代工费用有比较大的区别。
而在3nm制程之后，就是大家熟悉的2nm制程，相比较3nm制程，2nm制程能够拥有10-15%的性能提升，并且功耗将会降低23-30%，晶体管密度倒是提升幅度不是很大，大约在10%左右，并且相比较现在的FinFET，台积电2nm将会采用全新的晶体管，纳米片晶体管，从而满足2nm制程下的工艺需求。当然距离台积电所称的2nm工艺量产还有三年的时间，其中的变数还很大，到时候究竟发展到什么程度还很难说。
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